參數(shù)資料
型號： SZMMBZ5V6ALT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： SZMMBZ5V6ALT1
MMBZ5V6ALT1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
Power is defined as VRSM x IZ(pk) where VRSM is
the clamping voltage at IZ(pk).
PW, PULSE WIDTH (ms)
UNIDIRECTIONAL
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
BIDIRECTIONAL
MMBZ5V6ALT1
Figure 6. Pulse Waveform
VALUE
(%)
100
50
0
01
2
3
4
t, TIME (ms)
Figure 7. Pulse Derating Curve
PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAYS TO
50% OF IPP.
HALF VALUE
IPP
2
tP
tr ≤ 10 ms
PEAK VALUE IPP
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 8. Maximum Nonrepetitive Surge
Power, Ppk versus PW
Figure 9. Maximum Nonrepetitive Surge
Power, Ppk(NOM) versus PW
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
PW, PULSE WIDTH (ms)
UNIDIRECTIONAL
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
BIDIRECTIONAL
MMBZ5V6ALT1
Power is defined as VZ(NOM) x IZ(pk) where
VZ(NOM) is the nominal Zener voltage measured at
the low test current used for voltage classification.
PEAK
PULSE
DERA
TING
IN
%
OF
PEAK
POWER
OR
CURRENT
@
T
A
=
25
°C
P
pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W)
P
pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SZMMBZ15VALT1 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
SZN6309C 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DSMS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DTX 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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