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參數(shù)資料
| 型號： | T15V2M16B-55S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K的× 16低功耗CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | T15V2M16B-55S |
TE
CH
tm
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
T15V2M16B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 10
to change products or specifications without notice.
Publication Date: NOV. 2002
Revision:A
PARAMETER
SYM.
V
DR
I
CCDR
t
CDR
TEST CONDITION
CE
≥
V
CC
-0.2V
V
IN
≥
Vcc -0.2V or
V
IN
≤
0.2V
MIN.
2.0
-
0
MAX.
-
15/40*
-
UNIT
V
uA
ns
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention
Time
Operation Recovery Time
t
R
t
RC
-
ns
*note : the data retention current
‘
max=40uA’ only for –45ns
.
DATA RETENTION WAVEFORM
(Ta =
-10 ~ +70
°
C /
-40
°
C ~ 85
°
C)
tCDR
C E
tR
V c c
CE >Vcc- 0.2V
VDR > 2.0V
VIH
VIH
Vcc_typ
Vcc_typ
Data Retention Mode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T15V2M16B-55SI | 128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V2M16B-70C | 128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V2M16B-70CI | 128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V4M08A | 512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V4M08A-55C | 512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T15V2M16B-55SI | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V2M16B-70C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V2M16B-70CI | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:128K X 16 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V4M08A | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| T15V4M08A-55C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:512K X 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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