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參數(shù)資料
| 型號： | T436416A-8SG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M X 16 SDRAM |
| 中文描述： | 4米× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 712K |
| 代理商： | T436416A-8SG |
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TE
CH
tm
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
T436416A
TM Technology Inc. reserves the right
P.20
to change products or specifications without notice.
Publication Date: MAY. 2003
Revision: B
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
B A
A 1 0 /A P
C L = 2
C L = 3
W E
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
H IG H
D Q M
D Q
:D o n 't c a re
Q A a0
R A a
C A a
R B b
C B b
R A c
C A c
R A a
R B b
R A c
Q A a1
Q A a2
Q A a3
Q A a0
Q A a1
Q A a2
Q A a3
D B b 0
D B b 1
D B b 2
D B b 3
D B b 0
D B b 1
D B b 2
D B b 3
Q A c0
Q A c0
Q A c1
Q A c2
Q A c1
* N o te1
t
C D L
R o w A c tiv e
(A -B a n k )
R ead (A -
B an k )
R o w A c tiv e
(B -B an k )
P rech arg e
(A -B a n k )
W rite (B -
B an k )
R o w A c tiv e
(A -B a n k )
R ead (A -
B an k )
*Note : 1.
t
CDL
should be met to complete write.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416C | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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