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參數(shù)資料
| 型號： | T436416C-6SG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100萬x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 651K |
| 代理商： | T436416C-6SG |
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TE
CH
tm
AC OPERATING CONDITIONS
(V
DD
=3.3V
±
0.3V ,T
A
= 0 to 70
°
C
)
T436416C
TM Technology Inc. reserves the right
P. 6
to change products or specifications without notice.
Publication Date: AUG. 2004
Revision: A
Parameter
Value
Unit
Input levels (V
IH
/V
IL
)
2.4 / 0.4
V
Input timing measurement reference level
1.4
V
Input rise and fall time
t
r /
t
f = 1 / 1
1.4
See Fig.2
ns
Output timing measurement reference level
Output load condition
V
3.3V
1200 ohm
Output
870 ohm
30pf
VOH(DC)=2.4,IOH=-2mA
VOL(DC)=0.4,IOL=2mA
ZO=50 ohm
Output
50 ohm
Vtt=1.4v
30pf
(Fig.1) DC Output Load Circuit (Fig.2)AC Output Load Circuit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416C-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5C | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5CG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416C-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416C-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-5CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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