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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T436416D-6CG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100萬x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 55/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 734K |
| 代理商： | T436416D-6CG |
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TE
CH
tm
T436416D
TM Technology Inc. reserves the right
P. 55
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 16.3. Auto Precharge after Read Burst
(Burst Length=4, CAS# Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
A10
A0~A9,A11
DQM
DQ
BA0,1
t
CK3
Activate
Command
Bank A
Bx0
Bx1 Bx2
Bx3
Ay1
Ay2
Hi-Z
Read
Command
Bank A
RAx
RAx
RBx
Ax0
Ax1
Ax2
Ax3
Ay0
Ay3
By0
Activate
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
RBx
CBx
By1
By2
By3
High
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Command
Bank A
Read with
Auto Precharge
Command
Bank B
CAx
RBy
CBy
RBy
CAy
WE#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416D-6S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7C | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7CG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436416D-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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