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參數(shù)資料
| 型號： | T436432B-10S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 23/72頁 |
| 文件大小： | 731K |
| 代理商： | T436432B-10S |
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TE
CH
tm
Figure 4. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 23
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
t
CK2
High level
is reauired
Minimum of 2 Refresh Cycles are required
Hi-Z
t
RP
t
RC
Address Key
Inputs must be
stable for 200
μ
s
PCommand
1stCommand
2nd Auto Refresh
Command
Mode Register
Any
Command
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436432B-10SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55S | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T494D156M025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
| T494A334K025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436432B-10SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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