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參數(shù)資料
| 型號： | T436432B-10S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 32內存為512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 43/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 731K |
| 代理商： | T436432B-10S |
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TE
CH
tm
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 43
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 12.3. Random Row Write (Interleaving Banks)
(Burst Length=8, CAS# Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
BS0,1
t
CK3
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank A
DAx0DAx1 DAx2 DAx3DAx4 DAx5
DAx6 DAx7
DBx0 DBx1
RAx
RAx
RAy
Write
Command
Bank A
Hi-Z
CAy
High
RBx
Precharge
Command
Bank B
DBx7
DBx2
DBx3 DBx4DBx5 DBx6
CAx
CBx
RBx
RAy
t
RCD
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
Activate
Command
Bank A
DAy3
DAy0
DAy1 DAy2
t
WR*
t
RP
t
WR*
*
t
WR
> t
WR
(min.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436432B-10SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55S | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T494D156M025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
| T494A334K025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436432B-10SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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