- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361344 > T436432B-10SG (TM Technology, Inc.) 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T436432B-10SG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 32內(nèi)存為512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 62/72頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 731K |
| 代理商： | T436432B-10SG |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)當(dāng)前第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)
TE
CH
tm
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 62
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 19.1. Full Page Write Cycle (Burst Length=Full Page, CAS# Latency=1)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
BS0,1
DAx+1
DAx
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Activate
Command
Bank B
RAx
RAx
Burst Stop
Command
CBx
High
Write
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
RBx
CAx
RBy
RBy
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Full Page burst operation does
not terminate when the burst
length is satisfied; the burst counter
increments and continues bursting
beginning with the starting address.
Activate
Command
Bank B
t
CK1
DAx+2 DAx+3 DAx-1
DAx
DAx+1
DBx
DBx+1DBx+2DBx+3DBx+4 DBx+5 DBx+6 DBx+7
Write
Command
Bank A
Data is ignored
RBx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436432B-55S | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T494D156M025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
| T494A334K025AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
| T494A334K035AS | SOLID TANTALUM CHIP CAPACITORS<br>(T494 SERIES - Low ESR, Industrial Grade) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436432B-55S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-55SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。