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參數(shù)資料
| 型號： | T436432B-5SG |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 68/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 731K |
| 代理商： | T436432B-5SG |
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TE
CH
tm
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 68
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 23. Full Page Random Column Write (Burst Length=Full Page, CAS# Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
BS0,1
t
CK2
DAx0DBx0DAy0
DAy1 DBy0 DBy1
DAz0 DAz1DAz2 DBz0DBz1
DBz2
Activate
Command
Bank A
Write
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
Precharge
Command Bank B
(Precharge Temination)
t
RP
Write
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
t
RRD
t
RCD
RAx
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RBx
RBx
CAx
CBx
CAy
CBy
CAz
CBz
RBw
RBw
t
WR
Write Data
is masked
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436432B-6S | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-6SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-7S | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-7SG | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-8S | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T436432B-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-7S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-7SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436432B-8S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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