參數(shù)資料
型號： TCED1100G
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光電耦合器
英文描述： Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-4
中文描述： Transistor Output Optocouplers Photodarlington Out Single CTR >600%
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： TCED1100G
www.vishay.com
800
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
Document Number: 83539
Rev. 1.8, 16-May-08
TCED1100/TCED1100G
Vishay Semiconductors
Optocoupler, Phototransistor Output,
High Gain
Note
According to DIN EN 60747-5-5 (see figure 1). This optocoupler is suitable for safe electrical isolation only within the safety ratings. Compliance
with the safety ratings shall be ensured by means of suitable protective circuits.
Fig. 1 - Derating Diagram
Fig. 2 - Test Pulse Diagram for Sample Test According to
DIN EN 60747-5-5/DIN EN 60747-; IEC60747
MAXIMUM SAFETY RATINGS
PARAMETER
INPUT
Forward current
OUTPUT
Power dissipation
COUPLER
Rated impulse voltage
Safety temperature
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
F
130
mA
P
diss
265
mW
V
IOTM
T
si
8
kV
°C
150
INSULATION RATED PARAMETERS
PARAMETER
Partial discharge test voltage -
routine test
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
100 %, t
test
= 1 s
V
pd
1.6
kV
Partial discharge test voltage -
lot test (sample test)
t
Tr
= 60 s, t
test
= 10 s,
(see figure 2)
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
8
kV
kV
Ω
Ω
1.3
10
12
10
11
Insulation resistance
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V, T
amb
= 100 °C
V
IO
= 500 V, T
=
150 °C
(construction test only)
R
IO
10
9
Ω
0
25
50
75
125
0
50
100
150
200
300
P
w
e
W
)
t
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
150
14
88
7
100
250
Photodarlington
Psi (m
W
)
IR-Diode
Isi (mA)
t
13930
t
1
, t
2
= 1 to 10 s
t
3
, t
4
= 1 s
t
test
= 10 s
t
stres
= 12 s
V
IOTM
V
Pd
V
IO
W
M
V
IORM
0
t
1
t
test
t
Tr
= 60 s
t
stres
t
3
t
4
t
2
SWITCHING CHARACTERISTICS
PARAMETER
Rise time
Fall time
TEST CONDITION
SYMBOL
t
r
t
f
MIN.
TYP.
300
250
MAX.
UNIT
μs
μs
V
CC
= 2 V, I
C
= 10 mA, R
L
= 100
Ω
, (see figure 3)
V
CC
= 2 V, I
C
= 10 mA, R
L
= 100
Ω
, (see figure 3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TCED1100 TCED1100/TCED1100G - Optocoupler, Phototransistor Output, High Gain
TCED2100 Optocoupler - Transistor Output, 2 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
TCED4100 Optocoupler DC-IN 4-CH Darlington DC-OUT 16-Pin DIL
TCET1114G Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-4
TCET1110 Optocoupler - Transistor Output, 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-4
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TCED2100 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington Out Dual CTR >600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
TCED2100_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Photodarlington Output, Dual Channel, High Gain
TCED4100 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington Out Quad CTR >600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
TCED4100G 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington Out Quad CTR > 600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
TCEDA3CA000 制造商:UPEK 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*