參數(shù)資料
型號： TCND5000
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光敏二極管
英文描述： Photointerrupter Reflective Photodiode 4-Pin SMD T/R
中文描述： Photointerruptors Reflective Sensor w/PIN Photodiode Out
文件頁數(shù)： 2/14頁
文件大?。?/td> 290K
代理商： TCND5000
www.vishay.com
2
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Document Number: 83795
Rev. 1.4, 14-Oct-10
TCND5000
Vishay Semiconductors
Reflective Optical Sensor with PIN
Photodiode Output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Fig. 1 - Forward Current Limit vs. Ambient Temperature
OUTPUT (DETECTOR)
Reverse voltage
Power dissipation
Junction temperature
V
R
P
V
T
j
60
75
100
V
mW
°C
SENSOR
Ambient temperature range
Storage temperature range
Soldering temperature
T
amb
T
stg
T
sd
- 40 to + 85
- 40 to + 100
260
°C
°C
°C
acc. fig. 14
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
VALUE
UNIT
0
20
40
60
80
100
120
16188
I
F
0
T
amb
- Ambient Temperature (°C)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
100
BASIC CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
INPUT (EMITTER)
(1)
Forward voltage
I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms
Temperature coefficient of V
F
Reverse current
Junction capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0 lx
Radiant intensity
I
F
= 20 mA, t
p
= 20 ms
Angle of half intensity
Peak wavelength
I
F
= 100 mA
Spectral bandwidth
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
p
I
F
= 100 mA
Rise time
I
F
= 100 mA
Fall time
I
F
= 100 mA
Virtual source diameter
Method: 63 % encircled energy
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
F
1.2
- 1.3
1.5
V
I
F
= 1 mA
V
R
= 5 V
TK
VF
I
R
C
j
I
e
λ
P
Δλ
TK
λ
P
t
r
t
f
d
mV/K
μA
pF
mW/sr
deg
nm
nm
nm/K
ns
ns
mm
10
25
7
± 12
940
50
0.2
800
800
1.2
75
930
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