參數(shù)資料
型號(hào)： TCND5000
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光敏二極管
英文描述： Photointerrupter Reflective Photodiode 4-Pin SMD T/R
中文描述： Photointerruptors Reflective Sensor w/PIN Photodiode Out
文件頁(yè)數(shù)： 3/14頁(yè)
文件大?。?/td> 290K
代理商： TCND5000
Document Number: 83795
Rev. 1.4, 14-Oct-10
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www.vishay.com
3
TCND5000
Reflective Optical Sensor with PIN
Photodiode Output
Vishay Semiconductors
Note
(1)
See figures 2 to 8 accordingly
(2)
See figures 9 to 12 accordingly
Fig. 2 - Test Circuit
BASIC CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 3 - Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 4 - Radiant Intensity vs. Forward Current
OUTPUT (DETECTOR)
(2)
Forward voltage
Breakdown voltage
Reverse dark current
Diode capacitance
I
F
= 50 mA
I
R
= 100 μA
V
R
= 10 V, E = 0 lx
V
R
= 5 V, f = 1 MHz, E = 0 lx
E
= 1 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm, V
R
= 5 V
λ
= 870 nm, V
R
= 5 V
V
F
V
BR
I
ro
C
D
1
1.3
V
V
nA
pF
60
1
10
1.8
Reverse light current
I
ra
12
μA
Temperature coefficient of I
ra
Angle of half intensity
Wavelength of peak sensitivity
Range of spectral bandwidth
TK
ira
λ
P
λ
0.5
0.2
± 15
930
%/K
deg
nm
nm
840 to 1050
SENSOR
Reverse Light Current
V
R
= 2.5 V, I
F
= 20 mA, D = 30 mm,
reflective mode: see figure 2
I
ra
110
nA
BASIC CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Kodak grey card
2 0 % Reflectivity
30 mm
D
18223
d
V
F
- Forward Voltage (V)
13600
10
1
10
0
10
2
10
3
10
4
t
P
= 100 μs
t
P
/T = 0.001
0
I
F
4
3
2
1
16189
10
3
10
1
I
F
- Forward Current (mA)
10
2
10
4
10
0
0.1
1
10
1000
100
I
e
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