參數資料
型號： TDA8512
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： 26 W BTL and 2 x 13 W SE or 4 x 13 W SE power amplifier
中文描述： 26糯橋接和2 x 13 W功率SE或4 × 13 W功率東南功率放大器
文件頁數： 12/24頁
文件大小： 165K
代理商： TDA8512
2001 Nov 16
12
Philips Semiconductors
Preliminary specification
26 W BTL and 2
×
13 W SE or
4
×
13 W SE power amplifier
TDA8512J
handbook, full pagewidth
MGW429
100
nF
5
13
220
nF
1
RL
RL
RL
RL
6
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
8
7
GND1
11
GND2
VP
TDA8512J
2200
μ
F
2
3
reference
voltage
16
10
4
17
12
input 1
14
Cout
(2)
Cout
(2)
Cout
(2)
Cout
(2)
SGND
RR
MODE
VP1
VP2
INV1
INV2
1 k
(1)
220
nF
100
μ
F
input 2
1 k
(1)
INV3
15
INV3
9
REF
220
nF
input 3
1 k
(1)
INV4
220
nF
input 4
1 k
(1)
60
k
60
k
60
k
60
k
1/2VP
supply voltage
ripple rejection
Fig.6 Application diagram for four SE amplifiers.
(1) Advised when driven with hard clipping input signals.
(2) For frequencies down to 20 Hz:
C
out
= 4700
μ
F at R
L
= 2
.
C
out
= 2200
μ
F at R
L
= 4
.
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