參數(shù)資料
型號(hào): TDA8512
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: 26 W BTL and 2 x 13 W SE or 4 x 13 W SE power amplifier
中文描述: 26糯橋接和2 x 13 W功率SE或4 × 13 W功率東南功率放大器
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代理商: TDA8512
2001 Nov 16
13
Philips Semiconductors
Preliminary specification
26 W BTL and 2
×
13 W SE or
4
×
13 W SE power amplifier
TDA8512J
handbook, full pagewidth
MGW428
100
nF
5
13
220
nF
1
RL1
RL1
RL2
4
6
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
8
7
GND1
11
GND2
VP
TDA8512J
2200
μ
F
2
3
reference
voltage
15
10
4
17
12
input 1
14
Cout
(2)
Cout
(2)
SGND
RR
MODE
VP1
VP2
INV1
INV2
1 k
(1)
220
nF
100
μ
F
input 2
1 k
(1)
INV3 16
INV3
9
REF
470
nF
inputs
3 and 4
1 k
(1)
INV4
60
k
60
k
60
k
60
k
1/2VP
Fig.7 Application diagram for one BTL amplifier and two SE amplifiers.
(1) Advised when driven with hard clipping input signals.
(2) For frequencies down to 20 Hz:
C
out
= 4700
μ
F at R
L1
= 2
.
C
out
= 2200
μ
F at R
L1
= 4
.
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PDF描述
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