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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TDA8922B |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 2 X 50 W class-D power amplifier |
| 中文描述： | 2 × 50瓦D類功率放大器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | TDA8922B |
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9397 750 13357
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Preliminary data sheet
Rev. 01 — 1 October 2004
24 of 32
Philips Semiconductors
TDA8922B
2
×
50 W class-D power amplifier
V
i
= 100 mV; R
s
= 5.6 k
; C
i
= 330 pF.
(1) V
P
=
±
21 V; 1
×
8
BTL configuration.
(2) V
P
=
±
26 V; 2
×
6
SE configuration.
(3) V
P
=
±
26 V; 2
×
8
SE configuration.
Fig 22. Gain as a function of frequency; R
s
= 5.6 k
and C
i
= 330 pF.
V
i
= 100 mV; R
s
= 0
; C
i
= 330 pF.
(1) V
P
=
±
21 V; 1
×
8
BTL configuration.
(2) V
P
=
±
26 V; 2
×
6
SE configuration.
(3) V
P
=
±
26 V; 2
×
8
SE configuration.
Fig 23. Gain as a function of frequency; R
s
= 0
and
C
i
= 330 pF.
V
P
=
±
26 V; V
ripple
= 2 V (p-p).
(1) Both supply lines rippled.
(2) Both supply lines rippled in anti phase.
(3) One supply line rippled.
V
i
= 100 mV; f = 1 kHz.
Fig 24. SVRR as a function of frequency.
Fig 25. Output voltage as a function of mode voltage.
001aab211
30
35
25
40
45
G
(dB)
20
f (Hz)
10
10
5
10
4
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
001aab212
30
35
25
40
45
G
(dB)
20
f (Hz)
10
10
5
10
4
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
001aab213
60
40
80
20
0
SVRR
(dB)
100
f (Hz)
10
10
5
10
4
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
001aab214
V
o
(V)
10
3
10
5
10
4
1
10
1
10
2
10
10
6
V
mode
(V)
0
6
4
2
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