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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F020-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.310 X 0.720 INCH, TSOP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 19/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 878K |
| 代理商： | TE28F020-120 |
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E
4.4
28F020
19
DC Characteristics
—TTL/NMOS Compatible—Commercial Products
Limits
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(3)
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Leakage
Current
1
±1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or V
SS
I
LO
Output Leakage
Current
1
±10
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or V
SS
I
CCS
V
CC
Standby
Current
1
0.3
1.0
mA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
IH
I
CC1
V
CC
Active
Read Current
1
10
30
mA
V
CC
= V
CC
Max
CE# = V
IL
f = 6 MHz
I
OUT
= 0 mA
I
CC2
V
CC
Programming
Current
1, 2
1.0
10
mA
Programming in
Progress
I
CC3
V
CC
Erase
Current
1, 2
5.0
15
mA
Erasure in
Progress
I
CC4
V
CC
Program
Verify Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify
in Progress
I
CC5
V
CC
Erase
Verify Current
1, 2
5.0
15
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify
in Progress
I
PPS
V
PP
Leakage
Current
1
±10
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PP1
V
PP
Read
Current, ID
Current
1
90
200
μA
V
PP
> V
CC
or Standby
Current
±10
V
PP
≤
V
CC
I
PP2
V
PP
Programming
Current
1, 2
8
30
mA
V
PP
= V
PPH
Programming in
Progress
I
PP3
V
PP
Erase
Current
1, 2
10
30
mA
V
PP
= V
PPH
I
PP4
V
PP
Program
Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Program Verify in
Progress
I
PP5
V
PP
Erase-
Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
= V
PPH
Erase Verify in
Progress
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F020-150 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F128P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30xxx | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F256P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F020-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F020-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TE28F032B3B110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F032B3B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F032B3BA110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
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