參數(shù)資料
型號： TE28F128P30T85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 100/102頁
文件大小： 1609K
代理商： TE28F128P30T85
1-Gbit P30 Family
April 2005
100
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Appendix D Additional Information
Order/Document
Number
Document/Tool
290667
Intel StrataFlash
Memory (J3) Datasheet
290737
Intel StrataFlash
Synchronous Memory (K3/K18) Datasheet
290701
Intel
Wireless Flash Memory (W18) Datasheet
290702
Intel
Wireless Flash Memory (W30) Datasheet
252802
Intel
Flash Memory Design for a Stacked Chip Scale Package (SCSP)
298161
Intel
Flash Memory Chip Scale Package User’s Guide
253418
Intel
Wireless Communications and Computing Package User's Guide
296514
Intel
Small Outline Package Guide
297833
Intel
Flash Data Integrator (FDI) User’s Guide
298136
Intel
Persistent Storage Manager User Guide
300783
Using Intel Flash Memory: Asynchronous Page Mode and Synchronous Burst Mode
306667
Migration Guide for Intel StrataFlash
Memory (J3) to Intel StrataFlash
Embedded
Memory (P30) Application Note 812
306668
Migration Guide for Spansion* S29GLxxxN to Intel StrataFlash
Embedded Memory
(P30) Application Note 813
306669
Migration Guide for Intel StrataFlash
Synchronous Memory (K3/K18) to Intel
StrataFlash
Embedded Memory (P30) Application Note 825
Notes:
1.
Please call the Intel Literature Center at (800) 548-4725 to request Intel documentation. International
customers should contact their local Intel or distribution sales office.
http://www.intel.com
For the most current information on Intel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F128P30xxx Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TE28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F128P30XXX 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
TE28F128P33T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
TE28F160B3 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。