參數(shù)資料
型號(hào)： TE28F256P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 96/102頁
文件大小： 1609K
代理商： TE28F256P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
96
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
C.4
Device Geometry Definition
Table 36.
Device Geometry Definition
Offset
27h
Length
1
Description
Code
See table below
“n” such that device size = 2
in number of bytes
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
27:
7
6
5
4
3
2
1
0
28h
2
—
15
—
—
14
—
—
13
—
—
12
—
x64
11
—
x32
10
—
x16
9
—
x8
8
—
28:
--01
x16
29:
2A:
2B:
2C:
--00
--06
--00
2Ah
2
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
64
2Ch
1
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
35h
4
Reserved for future erase block region information
See table below
See table below
See table below
See table below
Number of erase block regions (x) within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in bulk
2. x specifies the number of device regions with one or
more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
Address
64-Mbit
–B
--17
--01
--00
--06
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--3E
--00
--00
--02
--00
--00
--00
--00
–T
--17
--01
--00
--06
--00
--02
--3E
--00
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--00
--00
--00
--00
–B
--18
--01
--00
--06
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--7E
--00
--00
--02
--00
--00
--00
--00
–T
--18
--01
--00
--06
--00
--02
--7E
--00
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--00
--00
--00
--00
–B
--19
--01
--00
--06
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--FE
--00
--00
--02
--00
--00
--00
--00
–T
--19
--01
--00
--06
--00
--02
--FE
--00
--00
--02
--03
--00
--80
--00
--00
--00
--00
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
35:
36:
37:
38:
128-Mbit
256-Mbit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F256P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
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TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
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TE28F256P30B95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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TE28F256P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F256P30T95 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
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