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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 84/102頁 |
| 文件大小： | 1609K |
| 代理商： | TE28F640P30B85 |
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1-Gbit P30 Family
April 2005
84
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
5.
The Clear Status command only clears the error bits in the status register if the device is not in the following modes: WSM
running (Pgm Busy, Erase Busy, Pgm Busy In Erase Suspend, OTP Busy, BEFP modes).
BEFP writes are only allowed when the status register bit #0 = 0, or else the data is ignored.
The "current state" is that of the "chip" and not of the "partition"; Each partition "remembers" which output (Array, ID/CFI or
Status) it was last pointed to on the last instruction to the "chip", but the next state of the chip does not depend on where
the partition's output mux is presently pointing to.
Confirm commands (Lock Block, Unlock Block, Lock-Down Block, Configuration Register) perform the operation and then
move to the Ready State.
WA0 refers to the block address latched during the first write cycle of the current operation.
6.
7.
8.
9.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F160B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F800B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F640P30B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F640P30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F640P30T85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| TE28F640P33B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F640P33T85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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