參數(shù)資料
型號(hào)： TGF2022-06
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 衰減器
英文描述： DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
中文描述： 0 MHz - 20000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： 0.57 X 0.53 MM, 0.10 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, CHIP-2
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： TGF2022-06
Advance Product Information
September 19, 2005
TGF2022-06
TriQuint Semiconductor Texas: Phone (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Email: Info-mmw@tqs.com Web: www.triquint.com
8
Unmatched S-parameters for 0.6 mm pHEMT
Bias Conditions: Vd = 12V, Idq = 45mA
Frequency
(GHz)
s11
dB
s11 ang
deg
s21
dB
s21 ang
deg
159.08
141.50
128.01
117.76
109.77
103.28
97.82
93.08
88.85
85.01
81.46
78.12
74.97
71.95
69.05
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53.18
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36.39
34.07
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22.70
20.46
18.23
16.01
13.79
11.58
s12
dB
s12 ang
deg
s22
dB
s22 ang
deg
0.5
-0.241
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-1.010
-1.011
-1.011
-1.011
-1.010
-1.010
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-1.008
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-178.13
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170.76
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167.96
167.28
166.61
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165.31
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6.119
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5.363
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3.728
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3.154
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2.359
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-26.290
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-26.466
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-26.551
-26.572
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1
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2
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3
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4
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5
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7
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10.5
11
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12
12.5
13
13.5
14
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15
15.5
16
16.5
17
17.5
18
18.5
19
19.5
20
20.5
21
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22
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-10.16
-12.31
-14.45
-16.59
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PDF描述
TGF2022-12 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-24 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-48 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2022-60 DC - 20 GHz Discrete power pHEMT
TGF2961-SD Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 8.3 to 9.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF2022-12 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 1.2mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-24 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 2.4mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-48 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2022-60 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-20GHz 6.0mm Pwr pHEMT (0.35um) RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF2023-01 功能描述:射頻GaAs晶體管 1.25mm GaN Discrete RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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