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參數(shù)資料
| 型號： | TGF2961-SD |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 8.3 to 9.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: LLD |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 671K |
| 代理商： | TGF2961-SD |
TriQuint Semiconductor: www. triquint.com (972)994-8465 Fax (972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
1
TGF2961-SD
August 2007 Rev A
Datasheet subject to change without notice.
Primary Applications
Cellular Base Stations
WiMAX
Wireless Infrastructure
IF & LO Buffer Applications
Product Description
Key Features
Frequency Range: DC-4 GHz
Nominal 900 MHz Application Board Performance:
900 MHz Application Board
Performance
1 Watt DC-4 GHz Packaged HFET
Bias conditions: Vd = 8 V, Idq = 200 mA, Vg = -1.0 V Typical
Package Dimensions: 4.5 x 4 x 1.5 mm
Bias: Vd = 8 V, Id = 200 mA, Vg = -1.0 V
(Typical)
Input Return Loss: -15 dB
Output Return Loss: -7 dB
TOI: 44 dBm
31 dBm Psat, 30 dBm P1dB
Gain: 18 dB
RFID
The TGF2961-SD is a high performance 1-watt
Heterojunction GaAs Field Effect Transistor
(HFET) housed in a low cost SOT89 surface
mount package.
The device’s ideal operating point is at a drain bias
of 8 V and 200 mA. At this bias at 900 MHz when
matched into 50 ohms using external components,
this device is capable of 18 dB of gain, 30 dBm of
saturated output power, and 44 dBm of output IP3
Evaluation boards at 900 MHz, 1900 MHz and
2100 MHz available on request.
RoHS and Lead-Free compliant
29
30
31
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Freq (GHz)
P
5
10
15
20
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Frequency (GHz)
G
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
I
Gain
IRL
ORL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TGF4112 | 12 mm Discrete HFET |
| TGF4112-EPU | 12 mm Discrete HFET |
| TGF4118 | 18 mm Discrete HFET |
| TGF4118-EPU | 18 mm Discrete HFET |
| TGF4124 | 24 mm Discrete HFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TGF2961-SD-T/R | 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-4Hz 1 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| TGF30-07870787-020 | 功能描述:THERMAL GAP FILLER/SKY BLUE 3.0W 制造商:leader tech inc. 系列:TGF30 零件狀態(tài):在售 使用:片狀 形狀:方形 外形:199.90mm x 199.90mm 厚度:0.0200"（0.508mm） 材料:氧化鋁填充硅膠 粘合劑:膠粘 - 兩側(cè) 底布，載體:- 顏色:藍(lán)色 熱阻率:0.90°C/W 導(dǎo)熱率:3.0 W/m-K 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 |
| TGF30-07870787-039 | 功能描述:THERMAL GAP FILLER/SKY BLUE 3.0W 制造商:leader tech inc. 系列:TGF30 零件狀態(tài):在售 使用:片狀 形狀:方形 外形:199.90mm x 199.90mm 厚度:0.0390"（0.991mm） 材料:氧化鋁填充硅膠 粘合劑:膠粘 - 兩側(cè) 底布，載體:- 顏色:藍(lán)色 熱阻率:0.90°C/W 導(dǎo)熱率:3.0 W/m-K 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 |
| TGF30-07870787-059 | 功能描述:THERMAL GAP FILLER/SKY BLUE 3.0W 制造商:leader tech inc. 系列:TGF30 零件狀態(tài):在售 使用:片狀 形狀:方形 外形:199.90mm x 199.90mm 厚度:0.0591"（1.500mm） 材料:氧化鋁填充硅膠 粘合劑:膠粘 - 兩側(cè) 底布，載體:- 顏色:藍(lán)色 熱阻率:0.90°C/W 導(dǎo)熱率:3.0 W/m-K 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 |
| TGF30-07870787-079 | 功能描述:THERMAL GAP FILLER/SKY BLUE 3.0W 制造商:leader tech inc. 系列:TGF30 零件狀態(tài):在售 使用:片狀 形狀:方形 外形:199.90mm x 199.90mm 厚度:0.0790"（2.007 mm） 材料:氧化鋁填充硅膠 粘合劑:膠粘 - 兩側(cè) 底布，載體:- 顏色:藍(lán)色 熱阻率:0.90°C/W 導(dǎo)熱率:3.0 W/m-K 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 |
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