參數(shù)資料
型號： TGF4112-EPU
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 12 mm Discrete HFET
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 153K
代理商： TGF4112-EPU
TriQuint Semiconductor Texas Phone: 972 994-8465 Fax 972 994-8504
Web: www.triquint.com
1
4112
0.5 um gate finger length
Nominal Pout of 6.0 Watts at 2.3 GHz
Nominal PAE of 54.5% at 2.3 GHz
Nominal Gain of 12.7 dB at 2.3 GHz
Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils
(0.914 x 2.057 x 0.102 mm)
TGF4112-EPU RF Performance at F = 2.3 GHz
Vd = 8.0 V, Vg = -1.3 V, Iq = 0.75 A and T
A
= 25°C
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
Input Power (dBm)
O
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
P
Pout
PAE
12 mm Discrete HFET
TGF4112-EPU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF4118 18 mm Discrete HFET
TGF4118-EPU 18 mm Discrete HFET
TGF4124 24 mm Discrete HFET
TGF4124-EPU 24 mm Discrete HFET
TGF4230-SCC DC - 12 GHz Discrete HFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF4118 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-6.0GHz 7 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4118-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:18 mm Discrete HFET
TGF4124 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-4.0GHz 10 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4124-EPU 制造商:TriQuint Semiconductor 功能描述:DC-4.0GHZ 10 WATT HFET
TGF4230 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:1.2mm Discrete HFET
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