參數(shù)資料
型號(hào)： TGF4112
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 12 mm Discrete HFET
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET
封裝： 0.033 X 0.071 INCH, 0.004 INCH HEIGHT, DIE-9
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商： TGF4112
TriQuint Semiconductor Texas Phone: 972 994-8465 Fax 972 994-8504
Web: www.triquint.com
8
Mechanical Drawing of TGF4112-EPU
0.0
59.9
(1.520)
48.8
(1.239)
52.5
(1.333)
45.1
(1.145)
35.9
(0.913)
28.5
(0.725)
19.4
(0.493)
12.0
(0.305)
36.0
(0.914)
23.8
(0.605)
7.4
(0.187)
)
32.2
(0.819)
15.7
(0.399)
4.7
(0.119)
81.0
(2.057)
0.0
Units: mils (mm)
Thickness: 4.0 (0.102)
Gate pad sizes are 4.0 x 4.0 (0.10 x 0.10)
Drain pad sizes are 4.7 x 14.5 (0.12 x 0.37)
A minimum of three gate bonds and six drain bonds
is recommended for operation. Sources are
connected to backside metalization. Alternate gate
and drain pads are located on either end of the
FET for paralleling TGF4112-EPUs.
G
D
Alternate gate pad
Alternate drain pad
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TGF4112-EPU 12 mm Discrete HFET
TGF4118 18 mm Discrete HFET
TGF4118-EPU 18 mm Discrete HFET
TGF4124 24 mm Discrete HFET
TGF4124-EPU 24 mm Discrete HFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TGF4112-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱(chēng):TriQuint Semiconductor 功能描述:12 mm Discrete HFET
TGF4118 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-6.0GHz 7 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4118-EPU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱(chēng):TriQuint Semiconductor 功能描述:18 mm Discrete HFET
TGF4124 功能描述:射頻GaAs晶體管 DC-4.0GHz 10 Watt HFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類(lèi)型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
TGF4124-EPU 制造商:TriQuint Semiconductor 功能描述:DC-4.0GHZ 10 WATT HFET
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