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參數(shù)資料
| 型號： | TH50VSF3680 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 0.4W, 75V, 0.3A, SIGNAL DIODE, SOD123 |
| 中文描述： | SRAM和閃存混合多芯片封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 53/55頁 |
| 文件大小： | 585K |
| 代理商： | TH50VSF3680 |
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TH50VSF3680/3681AASB
2001-03-06 53/55
DQ7 (DATA
DQ6 (Toggle bit)
Yes
No
Yes
No
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Start
DQ7
=
Data
DQ5
=
1
DQ7
=
Data
No
Yes
1)
1) :
DQ7 must be rechecked even if DQ5
=
1
because DQ7 may change at the same time
as DQ5.
Fail
Pass
VA: Byte address for programming.
Any of the addresses within the block being erased during a Block Erase operation.
Don
’
t care during a Chip Erase operation.
Any address not within the current block during an Erase Suspend operation.
No
No
No
Yes
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Read Byte (DQ0~DQ7)
Addr.
=
VA
Start
DQ6
=
Toggle
DQ5
=
1
DQ6
=
Toggle
Yes
Yes
1)
1) :
DQ6 must be rechecked even if DQ5
=
1
because DQ6 may stop toggling at the same
time that DQ5 changes to 1.
Fail
Pass
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TH50VSF3681AASB | GT 10C 10#16 SKT RECP BOX RM |
| TH513 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| TH560 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| TH562 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| TH58100FT | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TH50VSF3681AASB | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SRAM AND FLASH MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE |
| TH510100000 | 制造商:JOHNSON ELECTRIC 功能描述:LIGHT PUSHBUTTON SWITCHES, 5 AMPS, 250VAC, RECTANGULAR MAINTAINED SWITCH |
| TH510108000 | 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:S.P. LATCHING SWITCH |
| TH510208000 | 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:D.P. LATCHING SWITCH |
| TH511000000 | 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:Rectangular latching pushbutton switch |
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