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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TIM7785-60SL |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| 中文描述： | 微波功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | TIM7785-60SL |
4
TIM7785-60SL
Power Dissipation(PT) vs. Case Temperature(Tc)
Tc(
°
C )
IM3 vs. Power Characteristics
V
DS
=10V
I
DS
set
9.5A
freq.=8.5GHz
f=5MHz
Pout(dBm) @Single carrier level
0
P
200
100
0
32
-10
-20
-30
-40
-50
-60
I
40
80
120
160
200
34
36
38
40
42
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIM7785-6UL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM7785-8UL | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM8596-2 | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM8596-15 | MICROWAVE POWER GaAs FET |
| TIM8596-4 | MICROWAVE POWER GaAs FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIM7785-60SL_08 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level |
| TIM7785-60ULA | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,8GHZ,51W,PD 187.5W - Trays |
| TIM7785-6UL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,8GHZ,32W - Trays |
| TIM7785-6UL_09 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:HIGH POWER P1dB=38.5dBm at 7.7GHz to 8.5GHz |
| TIM7785-8SL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,8GHZ,37.5W - Trays |
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