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參數(shù)資料
| 型號： | TINY88-15MZ |
| 廠商： | Atmel |
| 文件頁數(shù)： | 90/245頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU AVR 8KB FLASH 12MHZ 32-QFN |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | MCU Product Line Introduction tinyAVR Introduction |
| 標準包裝： | 5,000 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心處理器： | AVR |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 連通性： | I²C，SPI |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測/復(fù)位，POR，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 28 |
| 程序存儲器容量： | 8KB（8K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| RAM 容量： | 512 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 封裝/外殼： | 32-VFQFN 裸露焊盤 |
| 包裝： | 托盤 |
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9157C–AVR–03/12
Atmel ATtiny88 Automotive
Figure 5-3.
On-chip Data SRAM Access Cycles
5.3
EEPROM Data Memory
ATtiny88 devices contain 64 bytes of data EEPROM memory, organized as a separate data
space in which single bytes can be read and written. The EEPROM has an endurance of at least
100,000 write/erase cycles. The access between the EEPROM and the CPU is described in the
following, specifying the EEPROM Address Registers, the EEPROM Data Register, and the
EEPROM Control Register.
“Memory Programming” on page 191 contains a detailed description on EEPROM Programming
in SPI or Parallel Programming mode.
5.3.1
EEPROM Read/Write Access
The EEPROM Access Registers are located in I/O space.
The write access time for the EEPROM is given in Table 5-2. A self-timing function, however,
lets the user software detect when the next byte can be written. If the user code contains instruc-
tions that write the EEPROM, some precautions must be taken. In heavily filtered power
supplies, V
CC is likely to rise or fall slowly on power-up/down. This causes the device for some
period of time to run at a voltage lower than specified as minimum for the clock frequency used.
See “Preventing EEPROM Corruption” on page 21 for details on how to avoid problems in these
situations.
In order to prevent unintentional EEPROM writes, a specific write procedure must be followed.
Refer to “Atomic Byte Programming” on page 19 and “Split Byte Programming” on page 19 for
When the EEPROM is read, the CPU is halted for four clock cycles before the next instruction is
executed. When the EEPROM is written, the CPU is halted for two clock cycles before the next
instruction is executed.
clk
WR
RD
Data
Address
Address valid
T1
T2
T3
Compute Address
Read
Wr
ite
CPU
Memory Access Instruction
Next Instruction
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