參數(shù)資料
型號(hào)： TIP36B
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： PNP SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 進(jìn)步黨硅功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： TIP36B
3
JULY 1968 - REVISED MARCH 1997
TIP36, TIP36A, TIP36B, TIP36C
PNP SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1
-10
-100
h
F
1
10
100
1000
TCS636AA
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
BASE CURRENT
-10
I
B
- Base Current - A
-0·001
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
V
C
-0·01
-0·1
-1·0
TCS636AB
I
C
= -25 A
I
C
= -20 A
I
C
= -15 A
I
C
= -10 A
I
C
= -300 mA
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
BASE-EMITTER VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1·0
-10
-100
V
B
-0·6
-0·8
-1·0
-1·2
-1·4
-1·6
-1·8
TCS636AC
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
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