參數(shù)資料
型號(hào): TIP508
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-39
中文描述: 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 150伏五(巴西)總裁|甲一(c)| TO - 39封裝
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
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代理商: TIP508
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SE7010 TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | TO-5
SE7055 TRANSISTOR | BJT | NPN | 220V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-39
SE7057 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-39
STI205 TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-37VAR
STI30 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:50uA; Mounting Type:Surface Mount
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIP50G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP50-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500V 1A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP50TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP51 制造商:Texas Instruments 功能描述:
TIP514 制造商:ISC 制造商全稱(chēng):Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon PNP Power Transistor