| 型號: | TIS90 |
| 英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92 |
| 中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 40V的五(巴西)總裁|到92 |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商: | TIS90 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIS61 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92 |
| TIS60 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92 |
| MPSA05DA | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA05DB | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX451DA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIS91 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92 |
| TIS92 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92VAR |
| TIS93 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ -40V/ -800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIS93_J35Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP MED PWR/GPA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIS93_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ -40V/ -800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |