參數(shù)資料
型號： TN0702
廠商： Supertex, Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管垂直的DMOS
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 476K
代理商： TN0702
4
1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089
TEL: (408) 744-0100 FAX: (408) 222-4895
www.supertex.com
02/06//02
2002 Supertex Inc. All rights reserved. Unauthorized use or reproduction prohibited.
Gate Drive Dynamic Characteristics
10
8
6
4
2
0
0.6
1.2
1.8
3.0
2.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
0
50
100
150
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
On-Resistance vs. Drain Current
0
2.5
1.2
1.0
0.8
-50
0
50
100
150
Transfer Characteristics
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
10
8
V
DS
= 5V
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
150
100
50
0
5
10
15
20
C
146 pF
1.0
BV
DSS
Variation with Temperature
V
(th)
@ 1mA
R
DS(ON) @
5V, 500mA
0
0
C
ISS
V
GS
= 5V
0.5
1.5
2.0
200pF
C
OSS
C
RSS
T
A
= -55
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 125
°
C
f = 1MHz
R
D
B
D
(
T
j
(
°
C)
T
j
(
°
C)
I
D
(amperes)
V
GS
= 3V
V
GS
= 2V
R
D
V
(th)
and R
DS
Variation with Temperature
V
GS
(volts)
I
D
V
G
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
V
DS
(volts)
V
DS
= 10V
V
DS
= 20V
TN0702
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN0702N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN2106K1 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2106N3 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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參數(shù)描述
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TN0702N3-G 功能描述:MOSFET 20V 1.3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN0702N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TN0702N3-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
TN0702N3-G P005 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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