參數資料
型號: TN2510
廠商: ELAN Microelctronics Corp .
英文描述: N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V,低門限2.0V,N溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
中文描述: N溝道增強型場效應管垂直的DMOS(100V的擊穿電壓,2.0V的低門限,?溝道增強型垂直的DMOS結構場效應管)
文件頁數: 3/4頁
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代理商: TN2510
7-93
7
Output Characteristics
10
8
6
4
2
0
V
DS
(volts)
Saturation Characteristics
10
8
6
4
2
0
V
DS
(volts)
I
D
(
I
D
(
Maximum Rated Safe Operating Area
1
1000
100
10
0.1
1.0
10
0.01
V
DS
(volts)
I
D
(
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
10
0.01
0.1
1
t
p
(seconds)
Transconductance vs. Drain Current
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
5
1
G
F
(
I
D
(amperes)
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
0
150
100
50
2.0
125
75
25
T
A
(
°
C)
P
D
V
DS
= 25V
0
10
20
30
50
40
4V
3V
0
2
4
6
10
8
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
6V
TO-243AA (pulsed)
6V
8V
4V
3V
8V
T
A
= 25
°
C
2
3
4
TO-243AA (DC)
1.0
0
TO-243AA
T
A
= 125
°
C
T
A
= -55
°
C
T
A
= 25
°
C
TO-243AA
T
A
= 25
°
C
P
D
= 1.6W
Typical Performance Curves
TN2510
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PDF描述
TN2510 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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參數描述
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