參數(shù)資料
型號： TN2510
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓100V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管垂直的DMOS（100V的擊穿電壓，2.0V的低門限，?溝道增強(qiáng)型垂直的DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管）
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代理商： TN2510
7-94
TN2510
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q (nanocoulombs)
V
G
(
T
j
G
V
(
D
R
(
V
DS
(th)
and R
Variation with Temperature
C)
°
(
On-Resistance vs. Drain Current
(amperes)
D
I
(
D
R
Variation with Temperature
DSS
D
B
(
C)
°
(
T
j
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
V
DS
(volts)
BV
0
10
20
30
40
75
50
0
0
2
4
6
8
10
10
8
6
4
2
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
10
8
6
4
2
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
10
8
6
4
2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
0
50
100
150
70pF
V
DS
= 40V
V
DS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
T
= -55
°
C
A
V
GS
= 25V
125
°
C
0
2
4
6
10
8
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
0.9
190 pF
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V @ 1mA
R
DS(ON)
@ 5V, 0.75A
25
°
C
25
0
Typical Performance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TN2510 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510N8 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2510ND N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2524 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓240V，低門限2.0V，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
TN2524 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TN2510N8 功能描述:MOSFET 100V 1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2510N8-G 功能描述:MOSFET 100V 1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TN2510N8-G D592 制造商:Supertex Inc 功能描述:
TN2510ND 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN25-15-10 制造商:FERROXCUBE 制造商全稱:Ferroxcube International Holding B.V. 功能描述:Ferrite toroids
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