參數資料
型號： TP2104
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-40V，低門限2.0V，P溝道增強型垂直DMOS結構場效應管)
中文描述： P通道增強模式垂直的DMOS場效應管（擊穿電壓至40V，2.0V的低門限，P溝道增強型垂直的DMOS結構場效應管）
文件頁數： 4/4頁
文件大小： 31K
代理商： TP2104
7-130
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q (nanocoulombs)
V
G
(
T
j
G
V
(
D
R
(
V
DS(ON)
GS(th)
and R
Variation with Temperature
C)
°
(
On-Resistance vs. Drain Current
(amperes)
D
(
D
R
Variation with Temperature
DSS
D
B
(
C)
°
(
T
j
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
100
C
V
DS
(volts)
I
BV
0
-10
-20
-30
-40
50
75
25
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
20
16
12
8
4
0
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
0
50
100
150
35 pF
V
DS
= -40V
125 pF
V
DS
= -10V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
T
= -55
°
C
A
V
DS
= -25V
125
°
C
0
-0.4
-0.8
-1.2
-2.0
-1.6
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
0.9
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V @ -1mA
25
°
C
0
R
DS(ON)
@ -10V, -0.5A
TP2104
Typical Performance Curves
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參數描述
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TP2104K1-G 功能描述:MOSFET 40V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2104N3 功能描述:MOSFET 40V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2104N3-G 功能描述:MOSFET 40V 6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TP2104N3-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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