參數(shù)資料
型號(hào)： TPC8014
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型馬鞍山三）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： TPC8014
TPC8014
2004-07-06
4
0
4
8
20
0
0.6
1
0.8
0.2
0.4
ID
=
11A
5.5
2.5
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
12
16
I
D
– V
DS
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
3.5
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
VGS
=
2.6 V
3.0
3.2
3.1
2.7
2.9
2.8
3.3
3.4
I
D
– V
DS
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
3.4
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
6
8
10
2
0
0.2
VGS
=
2.5 V
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
10
8
6
4
3.
3.3
I
D
– V
GS
Gate-source voltage V
GS
(V)
D
D
0
20
0
0.5
1
1.5
4
4
8
12
16
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
2
3
25
100
Ta
=
55°C
2.5
2.5
V
DS
– V
GS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
F
Y
f
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
Drain current I
D
(A)
D
R
D
)
1
3
30
100
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
1
10
100
VGS
=
10 V
VGE
=
4.5 V
3
30
10
0.1
1
10
100
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
Tc
=
100°C
55°C
25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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