參數(shù)資料
型號(hào)： TPDV640
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： TPDV640
GATECHARACTERISTICS
(maximum values)
PG (AV)= 1W
PGM= 40W (tp = 20
μ
s)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Contact to ambient
50
°
C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
1.2
°
C/W
Rth (j-c) AC
Junction to case for 360
°
conduction angle ( F= 50 Hz)
0.9
°
C/W
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Value
Unit
IGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
200
mA
VGT
VD=12V
(DC)
RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRMRL=3.3k
Tj=125
°
C
I-II-III
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM
dIG/dt = 3A/
μ
s
IG= 500mA
Tj=25
°
C
I-II-III
TYP
2.5
μ
s
IL
IG=1.2 IGT
Tj=25
°
C
I-III
TYP
100
mA
II
200
IH *
IT= 500mA gate open
Tj=25
°
C
TYP
50
mA
VTM *
ITM= 60A
tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.8
V
IDRM
IRRM
VDRM
VRRM
Rated
Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.02
mA
Tj=125
°
C
MAX
8
dV/dt *
Linear slope up to VD=67%VDRM
gate open
Tj=125
°
C
MIN
500
V/
μ
s
(dI/dt)c *
(dV/dt)c = 200V/
μ
s
Tj=125
°
C
MIN
35
A/ms
(dV/dt)c = 10V/
μ
s
142
* For either polarity of electrode A
2
voltage with reference to electrode A
1
.
IGM= 8A (tp = 20
μ
s)
VGM= 16V (tp = 20
μ
s).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL RESISTANCES
TPDV 640 ---> 1240
2/5
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