參數資料
型號： TPDV640
廠商： 意法半導體
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數： 3/5頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： TPDV640
Fig.1 :
Maximum RMS power dissipation versus RMS
on-state current (F=50Hz).
(Curves are cut off by (dI/dt)c limitation)
Fig.2 :
Correlation between maximum RMS power
dissipation and maximum allowable temperatures (Tamb
and Tcase) for different thermal resistances heatsink +
contact.
Fig.3 :
RMS on-state current versus case temperature.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
0.01
0.10
1.00
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance versus
pulse duration.
Fig.5 :
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature.
Fig.6 :
Non Repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
TPDV 640 ---> 1240
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