型號: | TPS850 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TOSHIBA Photo IC Silicon Epitaxial Planar |
中文描述: | 東芝照片集成電路硅外延平面 |
文件頁數(shù): | 2/10頁 |
文件大?。?/td> | 155K |
代理商: | TPS850 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TPS851 | TOSHIBA Photo IC Silicon Epitaxial Planar |
TPT5609 | TRANSISTOR (NPN) |
TQ1089 | CONNECTOR ACCESSORY |
TQ1090 | CONNECTOR ACCESSORY |
TQ1422 | GSM850/900 and DCS1800/PCS1900 Tx - Bandpass Filter |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TPS850_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Photo-IC Silicon Epitaxial Planar |
TPS851 | 功能描述:光頻率和光電壓 Sensor Photo IC Illuminance RoHS:否 制造商:ams 峰值波長:1000 nm 工作電源電壓:5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
TPS851_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar |
TPS852 | 功能描述:光頻率和光電壓 Sensor Photo IC Illuminance RoHS:否 制造商:ams 峰值波長:1000 nm 工作電源電壓:5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
TPS852(T) | 功能描述:光頻率和光電壓 Sensor Photo IC Illuminance RoHS:否 制造商:ams 峰值波長:1000 nm 工作電源電壓:5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 安裝風格: 封裝 / 箱體: |