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參數(shù)資料
| 型號： | TPV5055B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | FO-91VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩|佛91VAR |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | TPV5055B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TPV657 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 2.5A I(C) | RFMOD |
| TPV8100B_D | TPV8100B 470-860 MHz. 150 W. 28 V RF Power Transistor - Archived |
| TQ5135 | Analog IC |
| TQ5M34 | Analog IC |
| TQ8214 | Industrial Control IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TPV590 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TPV591 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TPV593 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TPV595 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| TPV595A | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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