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參數(shù)資料
| 型號： | TS864IPT |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | 比較器 |
| 英文描述： | RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS |
| 中文描述： | 軌至軌微功耗BICMOS工藝比較器 |
| 文件頁數(shù)： | 5/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | TS864IPT |
TS861-TS862-TS864
5/15
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= +10V
T
amb
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
io
Input Offset Voltage (V
ICM
= V
CC
/ 2 )
TS861/2/4
Tmin<T<Tmax
3
15
18
mV
V
io
Input Offset Voltage Drift
6
μ
V/
°
C
I
io
Input Offset Current
1)
Tmin<T<Tmax
1. Maximum values including unavoidable inaccurates of the industrial test.
2. Design evaluation
3. Limits are 100% production tested at 25
°
C. Limits over temperature are guaranteed through correlation and by design.
1
150
300
pA
I
ib
Input Bias Current
1)
Tmin<T<Tmax
1
300
600
pA
V
OH
High Level Output Voltage
Isource=5mA
Tmin<T<Tmax
9.6
9.45
9.8
V
V
OL
Low Level Output Voltage
Isink=5mA
Tmin<T<Tmax
0.2
0.4
0.55
V
A
vd
Large Signal Voltage Gain
2)
240
dB
CMR
Common Mode Rejection Ratio
0 < V
ICM
< 10V
75
dB
SVR
Supply Voltage Rejection Ratio
2.7 < Vcc < 10V
80
dB
I
CC
Supply current per comparator
no load, output low
no load, output high
7
10
14
16
μ
A
Tplh
Propagation delay from output low to output high
V
ICM
=5V, f=10kHz, C
L
=50pF
overdrive = 10mV
overdrive = 100mV
3
0.5
μ
s
Tphl
Propagation delay from output high to output low
V
ICM
=5V, f=10kHz, C
L
=50pF
overdrive = 10mV
overdrive = 100mV
2.6
0.4
μ
s
Tf
Fall time
f=10kHz, C
L
=50pF, overdrive=100mV
20
ns
Tr
Rise time
f=10kHz, C
L
=50pF, overdrive=100mV
20
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TS864ID | RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TS864IYDT | 功能描述:IC COMPARATOR R-R QUAD 14SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 線性 - 比較器 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 類型:通用 元件數(shù):1 輸出類型:CMOS，推挽式，滿擺幅，TTL 電壓 - 電源，單路/雙路(±):2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V 電壓 - 輸入偏移（最小值）:5mV @ 5.5V 電流 - 輸入偏壓（最小值）:1pA @ 5.5V 電流 - 輸出（標(biāo)準(zhǔn)）:- 電流 - 靜態(tài)（最大值）:24µA CMRR, PSRR（標(biāo)準(zhǔn)）:80dB CMRR，80dB PSRR 傳輸延遲（最大）:450ns 磁滯:±3mV 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:6-WFBGA，CSPBGA 安裝類型:表面貼裝 包裝:管件 其它名稱:Q3554586 |
| TS865C04R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| TS865C06R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| TS865C08R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| TS865C10R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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