型號: | TSM12N02CP |
廠商: | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
中文描述: | N溝道增強型MOS管 |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 149K |
代理商: | TSM12N02CP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TSM1N60CH | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
TSM1N60CP | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
TSM1N60 | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
TSM1N60L_07 | 600V N-Channel Power MOSFET |
TSM1N60L | N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TSM12N02CP R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO-252;20V 12AMP N CHANEL MOSF |
TSM12N10CP ROG | 功能描述:MOSFET 100V 12A P Channel Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
TSM12N65 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:650V N-Channel Power MOSFET |
TSM12N65CI C0 | 功能描述:MOSFET 650V 6A N Channel Power Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
TSM12N65CIC0 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:650V N-Channel Power MOSFET |