參數(shù)資料
型號： TSM1N60S
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET
中文描述： N溝道功率增強型MOS管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： TSM1N60S
TSM1N60S
3-4
2006/01 rev. A
Typical Characteristics Curve
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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TSM1N80SCT 功能描述:MOSFET 800V N Channel Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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