參數(shù)資料
型號(hào): TSM2N60
廠(chǎng)商: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述: N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述: N通道功率增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
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代理商: TSM2N60
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM2N60CH N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N60CP N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N7000CT 60V N-Channel MOSFET
TSM2N7000 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7000CTA3 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM2N60CH 功能描述:MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N60CH C5 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
TSM2N60CP 功能描述:MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N60CP R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TSM2N60CZ 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述: