參數(shù)資料
型號： TSM2N7002ED
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 50V雙N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 200K
代理商： TSM2N7002ED
TSM2N7002ED
4-5
2004/12 rev. B
Typical Characteristics Curve
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Drain to source current (A)
Body diode forward voltage (V)
Square wave pulse duration (S)
Drain-source voltage (V)
Total gate charge (nC)
T
S
D
G
T
Transconductance Variation
Normalized Thermal Transient Impedance Curve
Gate Charge
Maximum Safe Operating Area
Body Diode Forward Voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
TSM2N7002KCU 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002KCX 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002KDCU6 功能描述:MOSFET Dual 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002KDCU6 RF 功能描述:MOSFET Dual 60V 0.2A N Channel Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N70CH 功能描述:MOSFET 700V 0,8Amp N-Ch Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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