參數(shù)資料
型號： TSM2N7002ED
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 50V雙N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： TSM2N7002ED
TSM2N7002ED
5-5
2004/12 rev. B
SOT-363 Mechanical Drawing
SOT-363 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
0.80
1.10
--
0.10
0.10
0.30
0.10
0.25
1.80
2.20
1.15
1.35
1.30 (typ)
0.65 (typ)
2.00
2.20
0.10
0.3
0.20 (typ)
0.20 (typ)
10
o
(typ)
INCHES
MIN
0.031
--
0.004
0.004
0.071
0.045
0.052 (typ)
0.026(typ)
0.079
0.004
0.008 (typ)
0.008 (typ)
10
o
(typ)
DIM
MAX
0.043
0.004
0.012
0.010
0.087
0.053
A
A1
bp
C
D
E
e
e1
He
Lp
Q
W
Θ
0.087
0.012
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PDF描述
TSM3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM3400CX 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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參數(shù)描述
TSM2N7002KCU 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002KCX 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002KDCU6 功能描述:MOSFET Dual 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002KDCU6 RF 功能描述:MOSFET Dual 60V 0.2A N Channel Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N70CH 功能描述:MOSFET 700V 0,8Amp N-Ch Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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