參數(shù)資料
型號： TT251N
英文描述： SCR / Diode Modules
中文描述： SCR /二極管模塊
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 398K
代理商： TT251N
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT251N
BIP AC / Warstein,den 26.09.85 Tscharn
A10 /85
1/12
Seite/page
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Kenndaten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TT251N
TD251N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1600
1400
1800
V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
1200
1600
1400
1800
V
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1300
1700
1500
1900
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
410 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C
T
C
= 82°C
I
TAVM
250
261
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
9100
8000
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs
I2t
414000
320000
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di
T
/dt)
cr
250 A/μs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/μs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 800 A
v
T
max.
1,4 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,8 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,7 m
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
200 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
≥
10
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs, t
g
= 20 μs
I
L
max.
1200 mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
50 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs
t
gd
max.
3 μs
prepared by: C.Drilling
date of publication:
23.09.02
approved by: J. Novotny
revision:
1
相關PDF資料
PDF描述
TT25F12KSB THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|25A I(T)
DT18F08KFB THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|800V V(RRM)|18A I(T)
DT18F08KFB-A THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|800V V(RRM)|18A I(T)
DT18F08KFB-K THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|800V V(RRM)|18A I(T)
DT18F08KFC THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|800V V(RRM)|18A I(T)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TT251N06KOF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|600V V(RRM)|250A I(T)
TT251N06KOF-A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CA|600V V(RRM)|250A I(T)
TT251N06KOF-K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|250A I(T)
TT251N10KOF 功能描述:SCR模塊 PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TT251N11KOF 制造商:n/a 功能描述:Power Module
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