參數(shù)資料
型號(hào)： TT251N
英文描述： SCR / Diode Modules
中文描述： SCR /二極管模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 398K
代理商： TT251N
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT251N
BIP AC / Warstein,den 26.09.85 Tscharn
A10 /85
2/12
Seite/page
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/μs, -di
T
/dt = 10 A/μs
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
t
q
typ.
250 μs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
V
ISOL
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module,
Θ
= 180° sin
pro Zweig / per arm,
Θ
= 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,065
0,130
0,062
0,124
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,02
0,04
°C/W
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
12
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
800 g
Kriechstrecke
creepage distance
17 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s2
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TT25F12KSB THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.2KV V(RRM)|25A I(T)
DT18F08KFB THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|800V V(RRM)|18A I(T)
DT18F08KFB-A THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|800V V(RRM)|18A I(T)
DT18F08KFB-K THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|800V V(RRM)|18A I(T)
DT18F08KFC THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|800V V(RRM)|18A I(T)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TT251N06KOF 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|600V V(RRM)|250A I(T)
TT251N06KOF-A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CA|600V V(RRM)|250A I(T)
TT251N06KOF-K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|600V V(RRM)|250A I(T)
TT251N10KOF 功能描述:SCR模塊 PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TT251N11KOF 制造商:n/a 功能描述:Power Module
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