參數(shù)資料
型號(hào)： TXDV12
英文描述： EOS and ESD Transil™ protection for charger and battery port
中文描述： 交變
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 309K
代理商： TXDV12
375
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
180
O
= 180
o
= 120
o
= 90
o
o
= 60
= 30
o
T(RMS)
I
(A)
P(W)
Fig.1 :
Maximum RMS power dissipation versus RMS
on-state current (F=50Hz).
(Curves are cut off by (dI/dt)c limitation)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-90
-95
-100
-105
-110
-115
-120
-125
P (W)
Tamb ( C)
Tcase ( C)
o
Rth = 0 C/W
1 C/W
2 C/W
4 C/W
Fig.2 :
Correlation between maximum RMS power
dissipation and maximum allowable temperatures (Tamb
and Tcase) for different thermal resistances heatsink +
contact.
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130
0
2
4
6
8
10
12
14
= 180
o
Tcase( C)
I
(A)
T(RMS)
Fig.3 :
RMS on-state current versus case temperature.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.1
1
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance versus
pulse duration.
Fig.5 :
Relative variation of gate trigger current and
holding current versus junction temperature.
Fig.6 :
Non Repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
TXDV 412 ---> 812
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