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參數(shù)資料
| 型號： | TXDV12 |
| 英文描述： | EOS and ESD Transil™ protection for charger and battery port |
| 中文描述： | 交變 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 309K |
| 代理商： | TXDV12 |
376
Fig.7 :
Non repetitive surge peak on-state current for a
sinusoidal pulse with width : t
≤
10ms, and
corresponding value of I2t.
Fig.8 :
On-state characteristics (maximum values).
Fig.9 :
Safe operating area.
TXDV 412 ---> 812
4/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TXDV612 | ALTERNISTORS |
| TXHOP1 | NICHT FUER DEN VERKAUF IN DEUTSCHLAND |
| TXHOP2 | Quad low capacitance Transil™ array for ESD protection |
| TXSTD1 | TRANSIL |
| TXSTD2 | TRANSIL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TXDV1212 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| TXDV1212RG | 功能描述:SCR THYRISTOR TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| TXDV208 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220 |
| TXDV212 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|12A I(T)RMS|TO-220 |
| TXDV408 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:ALTERNISTORS |
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