參數(shù)資料
型號: UL62H256BS1K35
元件分類: SRAM
英文描述: 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO28
封裝: 0.330 INCH, SOP-28
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 82K
代理商: UL62H256BS1K35
5
September 26, 2002
UL62H256B
Data Retention Mode
E - controlled
Data Retention
2.3 V
t
su(DR)
t
rec
V
CC
E
V
CC(DR)
1.5 V
0 V
2.0 V
2.0 V
V
CC(DR)
- 0.2 V
V
E(DR)
V
CC(DR)
+ 0.3 V
Data Retention
Characteristics
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Alt.
IEC
Data Retention Supply Voltage
V
CC(DR)
1.5
V
Data Retention Supply Current
I
CC(DR)
V
CC(DR)
= 2V
V
E
T
a
T
a
T
a
= V
CC(DR)
- 0.2 V
70 °C
85 °C
125 °C
3
5
20
μA
μA
μA
Data Retention Setup Time
t
CDR
t
su(DR)
See Data Retention
Waveforms (above)
0
ns
Operating Recovery Time
t
R
t
rec
t
cR
ns
Test Configuration for Functional Check
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
V
IH
V
IL
V
SS
V
CC
2.5 V
3332
3077
V
O
I
r
S
m
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
E
W
G
e
In measurement of t
dis(E)
,t
dis(W)
, t
en(E)
, t
en(W)
, t
en(G)
the capacitance is 5 pF.
30 pF
e
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