參數(shù)資料
型號(hào)： UMA9A
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74A
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 74A條
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： UMA9A
UMA9N / FMA9A
Transistors
Digital transistor
(Common Emitter Dual Transistors)
UMA9N / FMA9N
!
Features
1) Two DTA114E chips in UMT and
SMT packages.
2) Mounting cost and area can be cut
in half.
!
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
(Built-in resistor type)
The following characteristics apply to
both DTr
1
and DTr
2
.
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : UMT5
ROHM : SMT5
UMA9N
2.0±0.2
FMA9A
2.9±0.2
0.05
+0.1
0
2
±
0
1
±
0
0~0.1
0.15±0.05
0.2
0.9±0.1
0.7
1.3±0.1
0.65
0.65
(3)
(2)
(4)
(5)
(1)
(1)
(2)
0.3
+0.1
0.05
1
2
0
(5)
(4)
(3)
0.95 0.95
1.9±0.2
1.1 +0.2
0.1
0.8±0.1
0~0.1
0
0.15
0.06
+0.1
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(4)
(5)
(2)
(1)
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
R
1
= 10k
R
2
= 10k
R
1
= 10k
R
2
= 10k
R
2
R
2
R
2
R
2
Abbreviated symbol: A10
All terminals have same
All terminals have same
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CC
50
V
V
IN
40
V
10
I
O
50
100
mA
Tj
150
°
C
Tstg
50~+150
°
C
Pd
UMA9N
150 (TOTAL)
mW
FMA9A
300 (TOTAL)
*
1
*
2
Supply voltage
Input voltage
Output current
Junction temperature
Storage temperature
*
1 120mW per element must not be exceeded.
*
2 200mW per element must not be exceeded.
Power
dissipation
I
C (MAX.)
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
I (off)
V
I (on)
V
O (on)
I
I
I
O (off)
R
1
G
I
R
2
/R
1
Min.
3.0
7
30
0.8
10
1
0.5
0.3
0.1
0.88
0.5
13
1.2
V
V
CC
=
5V, I
O
=
100
μ
A
V
O
=
0.3V, I
O
=
10mA
I
O
/I
I
=
10mA /
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
I
O
=
5mA, V
O
=
5V
V
mA
μ
A
k
Typ.
Max.
Unit
Conditions
f
T
250
V
CE
=
10mA, I
E
=
5mA, f
=
100MHZ
MHz
*
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
Input resistance
DC current gain
Transition frequency
Resistance ratio
*
Transition frequency of the device
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UMA9N Digital Transistor (Common Emitter Dual Transistors)(公共發(fā)射級(jí)(雙數(shù)字晶體管))
UMB1 Very low drop voltage regulators with inhibit
UMB10 Very low drop voltage regulators with inhibit
UMB11 Very low drop voltage regulators with inhibit
UMB2 Very low drop voltage regulators with inhibit
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UMA9N 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Semiconductor(Discrete),UMA9NTR,Transis
UMA9NTR 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 50MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMAC040130A003TA01 功能描述:Lithium Battery Rechargeable (Secondary) 2.3V 3mAh 制造商:murata electronics north america 系列:UMA 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 電池化學(xué):鋰 電池尺寸:- 電壓 - 額定:2.3V 容量:3mAh 大小/尺寸:0.16" 直徑 x 0.47" 高（4.0mm x 12.0mm） 端子類(lèi)型:PC 引腳（垂直安裝） 放電率:- 標(biāo)準(zhǔn)充電電流:30mA 標(biāo)準(zhǔn)充電時(shí)間:- 重量:0.29g 發(fā)貨信息:由于可能存在某些限制，運(yùn)輸方式可能有所改變。 最大空運(yùn)重量:8500 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
UMAF5817 功能描述:RECT SCHOTTKY 20V LEAD FREE SMD RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
UMAF5818 功能描述:RECT SCHOTTKY 30V LEAD FREE SMD RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
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